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韩国预计五年内DRAM生产能力将翻倍,而全球内存市场预计将在5年内增长四倍。
6月29日,韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂,投资约800万亿韩元,未来15年将在新代存储、边缘人工智能、国等芯片域投资至少30万亿韩元。韩国官员表示,预计五年内将DRAM生产能力翻倍,预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划,预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望过1000万亿韩元(约4.4243万亿元人民币)。
有业内资人士向财经记者表示,韩国DRAM(动态随机存取存储器)龙头企业会扩大投资张家界橱柜台面胶,SK海力士的DRAM投资预计会翻倍。
从企业动向看,SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证(ADR),其6月24日公告称,公司将发行规模达45.45万亿韩元(约2001亿元人民币)的存托凭证,所募资金将用于龙仁半体集群期晶圆厂、清州P&T7封装厂建设及设备投资。
三星电子六代带宽内存(HBM4)今年用4个多月已实现销售额突破10亿美元,预计截至6月底其HBM4销售额有望突破12亿美元。三星电子6月23日还发布了通用闪存存储(UFS)5.0解决案,计划四季度起投入量产。
过去周,保温护角专用胶韩国存储芯片龙头企业的股价和韩国股指都经历冲回落。6月29日截至12点左右,三星电子、SK海力士的股价继续向下回调,分别下跌5.15至322000韩元/股,下跌3.85至2570000韩元/股,韩国KOSPI指数下跌2.02至8241.14点。
随着存储涨价,有美国投行预计2027年单座AI力数据中心资本开支整体将增加30。存储芯片持续涨价上游盈利,但下游云厂商投资回报持续走低,市场担心云厂商后期能否收回投资,未来会不会削减存储采购长单。
目前,人工智能(AI)大模型应用加快普及,由此动的力发展及存储需求增长的趋势并没有改变。群智咨询(Sigmaintell)预计,2026年全球DRAM的需求约400亿GB,行业总体需求仍然维持约20以上增长,供给端的产能增速目前仍然落后于需求,现在判断DRAM、NAND的供需出现拐点仍为时过早。 海量资讯、解读,尽在财经APP
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