中化新网讯随着硅基芯片能逼近物理限，科学正在积寻找替代案，以二硫化钼为代表的二维半体就是其中之。1月30日，学术期刊《科学》在线发表南京大学欣然、李涛涛团队与东南大学金兰团队作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。 “在气相沉积过程中佳木斯橱柜台面胶，金属有机前驱体受热分解，反应产物附着在衬底表面，形成二硫化钼薄膜。”李涛涛说，然而，传统的金属有机化学气相沉积技术受反应动力学限制，不仅薄膜生长速率慢，而且前驱体在分解时会产生含碳杂