【星途科讯】IBM 出了种全新的芯片架构，能够在如人类指甲盖大小的芯片上集成近 1000 亿个晶体管，其晶体管密度几乎是该公司上代芯片技术的两倍。这种在计能和能面的显著提升，源于 IBM 所称的"全球款亚 1 纳米芯片技术"，该技术为 AI 数据中心设计。

"这不仅仅是个渐进式的步骤，是次有意义的飞跃，" IBM 研究主管兼 IBM 院士 Jay Gambetta 表示。他将这项新技术描述为"指向个未来：计能力将显著增强，而能耗却不会相应增加。"

所谓"全球款亚 1 纳米芯片技术"，并非指制造出物理特征小于 1 纳米的晶体管——受限于物理规律，这在目前并不切实际。相反，IBM 的新"纳米堆叠（nanostack）"架构旨在实现理论上若构建出此类微芯片所预期的能提升。具体而言，IBM 将该技术基于 0.7 纳米节点，并命名为 7 埃节点（1 纳米等于 10 埃）。

需注意的是，此类节点编号已不再对应芯片特征的实际物理尺寸。为了克服现代芯片设计的物理缩放限，IBM 的新架构以交错布局垂直堆叠晶体管海南PVC管件胶厂，从而在相同空间内容纳多晶体管。该架构建立在 IBM 此前开发的纳米片晶体管基础之上，后者曾为其 2021 年出的 2 纳米芯片节点铺平道路。

IBM 纳米堆叠架构的基本单元由两个堆叠并键在起的晶体管组成。每个晶体管包含三个纳米片，每个纳米片厚约 5 纳米（相当于大约 15 排硅原子），片间保持约 9 纳米的距离。

面向 AI 时代的能增益

根据 IBM 发布的技术报告，纳米堆叠架构可能带来比其上代 2 纳米节点芯片出 50 的计能，或提 70 的能。该公司在日本京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会上介绍了这架构。

此外，IBM 研究人员还在 VLSI 2026 研讨会上展示，该架构为静态随机存取存储器（SRAM）提供了 40 的缩放改进。SRAM 支持快速但耗能的读写操作海南PVC管件胶厂，对许多 AI 应用至关重要。这改进得益于 SRAM 存储单元采用的交错通道设计，泡沫板橡塑板专用胶使整体单元度降低 40，从而在相同芯片空间内容纳多 SRAM。

鉴于近年来 SRAM 缩放能力大幅下降（从 3 纳米到 2 纳米世代仅提几个百分点），这突破对支持 AI 工作负载的芯片设计师而言意义重大。Gambetta 指出："这 40 的成就终将在需要带宽和率的 AI 工作流程中实现工业化。"

亚 1 纳米节点的路线图

作为研发机构，IBM 不直接制造商用芯片，而是通过作伙伴进行商业化。目前，IBM 已与日本 Rapidus 作大规模生产基于纳米片架构的 2 纳米节点芯片，并与韩国三星作商业化相关技术。台积电等其他公司也立开发了用于其 2 纳米节点的纳米片晶体管。

"纳米片已成为下代晶体管缩放的基础，" IBM 半体全球研发总裁 Huiming Bu 表示，"如今，所有先的代工厂都采用纳米片技术来生产大多数 3 纳米芯片以及全部 2 纳米芯片。"

对于新的亚 1 纳米节点技术，IBM 拒透露潜在的商业化作伙伴。但 Bu 预计，采用纳米堆叠架构的商用芯片早可能在五年内开始生产，有可能在十年内实现。"它将取代纳米片，成为当今主流代工厂的主流技术，论是 CPU 还是 GPU，" Bu 说，"十年内，这将成为我们发明并帮助行业转型的另个主流标准。"

【星途科讯 图文丨周鑫雨 发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】相关词条:不锈钢保温     塑料管材设备     预应力钢绞线    玻璃棉板厂家    pvc管道管件胶

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