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常见SSD固态硬盘不拆盘判断颗粒的办法_固态硬盘_什么值得买

读懂固态硬盘中的“黑话”-简易百科

先需要知道自己的主控是什么，常见的是这些

Phison = 群联

SMI = 慧荣

Marvel = 美满电子（马主控）

Maxio = 联芸

Yeestor(SiliconGo) utility = 得微

我般的猜测顺序： 杂盘（移速、铨兴）先试 Yeestor，然后是 SMI ，Phison ，Marvel

正规盘可以跳过 Yeestor 从SMI 开始

先从官网下载对应的。下载地址： SSD utils 

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这里看到我有5块硬盘文昌橡塑胶厂家，我要查看的是四块硬盘，就按3 

奥力斯    泡沫板橡塑板专用胶报价    联系人：王经理    手机：18232851235（微信同号）    地址：河北省任丘市北辛庄乡南代河工业区

可以看到识别出来了，这块是 SMI 2259XA 的主控 

Intel 64L(B17A) TLC 512Gb/CE 512Gb/die

关于 MLC / TLC /QLC 的区别强烈建议看硬件茶谈这个

【硬件科普】固态硬盘的缓存是干什么的？有缓存和缓存有什么区别？_哔哩哔哩_bilibili

当Bad Block From Pretest大于Original Spare Block Count你就要小心了 

主要就是看这个，其他额外的参数如下：

Channel：通道

提到个固态硬盘的通道数量文昌橡塑胶厂家，多数时候说的是闪存通道，但M.2 NVMe固态硬盘会有PCIE通道的参数。我们这里谈的是前者。

闪存通道数量直接反映了固态硬盘的并发读写能力。可以简单理解为马路上有多少条车道，显然通道数量越多，理论能越好。当然，还有很多影响因素，通道数量只是个底子。

CE：片选信号

紧跟闪存通道之后的往往就是CE数量。经常可以在些固态硬盘评测中看到这样的介绍，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片选的缩写，下图是个东芝闪存颗粒的逻辑结构，2 Die封装，拥有两个CE信号。

除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交错也可以提固态硬盘能。主控的闪存通道以及每通道支持的CE数量还会影响它终能够提供多大的固态硬盘容量。

Package：封装

我们能够看到的颗闪存就是个Package封装，它有TSOP或者BGA两种形态，前者的引脚在封装两侧引出，后者则在封装的底部拥有个球栅阵列。下图是东芝TR200固态硬盘中使用的TSOP封装闪存颗粒。TSOP和BGA本身没有好坏之分，通常在空间足够的情况下使用TSOP，而M.2固态硬盘则大都选择封装密度的BGA形态。BGA封装还有个优势：每个颗粒能支持2个甚至4个闪存通道，万能胶厂家而TSOP只能支持1个。

我们在上边看到的黑颗粒并不是闪存的本来面目，那只是到多个芯片通过引线键或者TSV硅通孔工艺完成连接之后，再用树脂材料封装并引出针脚。而芯片则是从闪存晶圆中摘下的小片格晶粒。

俗称的原片就是由原厂检测并封装、上原厂的品质颗粒，原厂固态硬盘，比如上面提到的东芝TR200当中使用的就是这种类型的闪存。而白片则是未经原厂认证的不明体制闪存芯片封装成的闪存颗粒；黑片是在检测中明确被淘汰的下脚料，被利益熏心的人低价回收后赌人品。

Die：这里并不是死的意思

Die也被称作LUN（逻辑单元），也是闪存内可执行命令并回报自身状态的小立单元。下图是由4个Plane组成两个Die，两个die组成的芯片。

单Die容量是衡量闪存技术的个指标。单Die容量越大意味着闪存存储密度越，做出来的固态硬盘容量也就越大。目前东芝三代3D TLC闪存已经实现512Gb的单Die容量，如果是QLC类型，则能达到768Gb的水平。

Plane：面

个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。下图是东芝BiCS3闪存的个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。

Block：块

接下来就到了微观域，通常是法直接看到外观的层。NAND闪存自问世那刻起就有个恒定不变的使用要求：写入（Program）数据前须行擦除（Erase），而闪存的小擦除单位就是Block块。

Page：页

每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的，而Page的意义也非比寻常，它是闪存当中能够读取写入的小单位。当前闪存的个Page通常是16KB，如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。

Cell：单元

每个16KB的Page页又是由大量的Cell单元构成。Cell是闪存的小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。目前3D TLC是闪存的主力类型，优质的原厂闪存配具备LDPC纠错的主控，可以实现3000次左右的擦写寿命，与过去2D平面MLC闪存接近。